一种红光发光二极管的外延片及其制备方法
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摘要
本发明提供了一种红光发光二极管的外延片及其制备方法，通过将n型半导体层设计成铝元素的含量沿所述外延片的生长方向逐渐增加，铟元素的含量沿所述外延片的层叠方向逐渐降低的渐变层，搭配铝元素、铟元素的含量沿所述外延片的生长方向不变的固定层，使得在靠近多量子阱层一侧的势垒逐渐升高，可限制多阱量子层中用于辐射复合的电子及空穴向MQW区外的游离，限制空穴与电子在MQW中进行辐射复合减少非辐射复合，同时也有利于n层的电子向MQW区的流动，进而增加了流向MQW区域中复合的光子数，提升了发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种红光发光二极管的外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113451471A
申请号 ：
CN202010255943.4
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2020-04-02
授权号 ：
CN113451471B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
黄文洋林雅雯黄国栋黄嘉宏杨顺贵
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐凯凯
优先权 ：
CN202010255943.4
主分类号 ：
H01L33/30
IPC分类号 ：
H01L33/30 H01L33/00 H01L33/06
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/30
申请日 : 20200402
申请日 : 20200402
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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