红光发光二极管外延片及其制备方法
授权
摘要
本公开提供了红光发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在p型AlInP限制层上依次生长p型AlGaAs欧姆接触层与p型AlGaAs电流扩展层。p型AlGaAs欧姆接触层与p型AlInP限制层欧姆接触层的晶格常数接近，将p电极制备在质量较好的p型AlGaAs欧姆接触层上，可以保证p电极与p型AlGaAs欧姆接触层之间具有良好的连接。p型AlGaAs欧姆接触层之后的p型AlGaAs电流扩展层，在p型AlGaAs欧姆接触层上生成质量更好的p型AlGaAs电流扩展层进行过渡，提高p型AlGaAs电流扩展层上生长的p型AlGaInP过度层的质量。
基本信息
专利标题 ：
红光发光二极管外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113224214A
申请号 ：
CN202110311944.0
公开（公告）日 ：
2021-08-06
申请日 ：
2021-03-24
授权号 ：
CN113224214B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
邢振远李彤王世俊曹敏孙建建
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110311944.0
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/30 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20210324
申请日 : 20210324
2021-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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