红光微型发光二极管芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本公开提供了一种红光微型发光二极管芯片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该芯片包括:包括:基板、外延结构、第一钝化层、金属增强层、第一电极和第二电极;外延结构包括依次层叠于基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层,第二半导体层的表面具有露出第一半导体层的凹槽,第一电极位于第一半导体层的表面,且位于凹槽的底面,第二电极位于第二半导体层的表面;第一钝化层至少覆盖第一半导体层、第一电极、凹槽、第二半导体层、第二电极的表面,金属增强层位于第一钝化层上,金属增强层在基板上的正投影位于第一钝化层在基板上的正投影内。本公开实施例能有效缓解因焊接产生的应力,而导致芯片出现裂缝失效的问题。

基本信息
专利标题 :
红光微型发光二极管芯片及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114551675A
申请号 :
CN202111651379.9
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
兰叶王江波朱广敏
申请人 :
华灿光电(浙江)有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 :
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
吕耀萍
优先权 :
CN202111651379.9
主分类号 :
H01L33/36
IPC分类号 :
H01L33/36  H01L33/44  H01L33/00  
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/36
申请日 : 20211230
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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