微型发光二极管芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括:基板、发光结构、第一焊点块、第二焊点块和缓冲结构;发光结构位于基板的表面,第一焊点块、第二焊点块和缓冲结构均位于发光结构的远离基板的表面,第一焊点块和第二焊点块分别与发光结构的两个电极连接;第一焊点块和第二焊点块间隔分布,缓冲结构位于第一焊点块和第二焊点块之间,缓冲结构部分嵌入第一焊点块内,部分嵌入第二焊点块内,第一焊点块和第二焊点块均与缓冲结构绝缘。本公开实施例能改善芯片上两焊点块之间区域因受应力而出现形变的问题,保证芯片的发光效果。

基本信息
专利标题 :
微型发光二极管芯片及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388673A
申请号 :
CN202111489498.9
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
兰叶朱广敏王江波
申请人 :
华灿光电(浙江)有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 :
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
吕耀萍
优先权 :
CN202111489498.9
主分类号 :
H01L33/44
IPC分类号 :
H01L33/44  H01L33/38  H01L33/00  
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20211208
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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