一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，涉及芯片技术领域，该发光二极管芯片自下而上依次包括衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一导电金属层、DBR反射层、第二导电金属层、绝缘保护层及键合金属层；其中，所述第一导电金属层包括第一N型导电金属与第一P型导电金属，在单个所述发光二极管芯片内，所述第一N型导电金属与所述第一P型导电金属的数量比为1：2‑1：30。本发明能够解决现有技术中第一N型导电金属与第一P型导电金属间距较大，导致电流扩散困难及电流扩散不均匀，在较大的雷击浪涌测试时，大电压输入的情况下，电流无法迅速扩散，导致芯片烧毁失效的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530531A
申请号 ：
CN202210067711.5
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李文涛鲁洋简弘安张星星胡加辉金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210067711.5
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/00 H01L33/14 H01L33/38
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/10
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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