发光二极管芯片及其制备方法

授权

摘要

本申请公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。该芯片包括基板、功能层及发光二极管台面；基板上表面包括发光区域和环绕于发光区域之外的切割区域；功能层铺设在发光区域和切割区域；功能层上表面配置有发光二极管台面；切割区域划分为第一区域和第二区域，第一区域和第二区域沿发光二极管台面周向间隔设置，第一区域形成有凸台，该凸台自功能层上表面向上延伸不高于发光二极管台面的高度，并与发光二极管台面间隔预定距离。本申请中仅在第一区域形成凸台，保证发光二极管芯片中的电位均匀分布，避免发光二极管芯片出现电迁移的现象，改善芯片的可靠性。

基本信息

专利标题：

发光二极管芯片及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112614920A

申请号：

CN202011581586.7

公开（公告）日：

2021-04-06

申请日：

2020-12-28

授权号：

CN112614920B

授权日：

2022-05-24

发明人：

杨力勋蔡琳榕朱立钦连文黎刘双良乔锦

申请人：

厦门市三安光电科技有限公司

申请人地址：

福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号

代理机构：

北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

王立红

优先权：

CN202011581586.7

主分类号：

H01L33/20

IPC分类号：

H01L33/20 H01L33/12 H01L33/00