一种倒装发光二极管芯片
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种倒装发光二极管芯片，包括：衬底层，位于所述倒装发光二极管芯片的底部；半导体层，位于所述衬底层的上方；扩展电极，位于所述半导体层的上方，并与所述半导体层电连接；以及反射绝缘层，位于所述扩展电极的上方，其中，所述扩展电极包括扩展电极弯折区。本实用新型实施例提供的倒装发光二极管芯片，有效避免了封装时顶针对扩展电极造成破坏，提高了倒装发光二极管芯片的封装可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020775640.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-12
授权号 ：
CN212365983U
授权日 ：
2021-01-15
发明人 ：
吴珊赵进超李超李东昇
申请人 ：
杭州士兰明芯科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202020775640.0
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/62
法律状态
2021-01-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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