一种倒装LED芯片及发光二极管
授权
摘要
本实用新型提供一种倒装LED芯片及发光二极管，该倒装LED芯片包括形成在第二半导体层上的第一透明导电层，形成在第一透明导电层上方的绝缘折射层以及形成在绝缘折射层上方的金属反射层。由于绝缘折射层和金属反射层二者的高低折射率差异，使得第一透明导电层、绝缘折射层和金属反射层形成全反射结构，增强LED芯片的出光效率。绝缘折射层中形成有第一通孔和第二通孔，金属反射层形成在第一和第二通孔中分别与第一透明导电层和第二半导体层连接，由此改善了金属反射层与绝缘折射层之间的粘附力，避免LED芯片因金属反射层和绝缘折射层之间粘附力差而导致的起皮的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装LED芯片及发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921198676.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-29
授权号 ：
CN210182405U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
刘小亮黄敏陈剑斌曾炜竣朱秀山彭康伟林素慧
申请人 ：
厦门三安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈敏
优先权 ：
CN201921198676.0
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/60 H01L33/54
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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