一种倒装紫外发光二极管芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种倒装紫外发光二极管芯片，其包括外延结构、正电极和负电极，外延结构包括自下而上设置的衬底、N型半导体材料层、多量子阱层、P型半导体材料层和P型欧姆接触层，多量子阱层、P型半导体材料层以及P型欧姆接触层被部分去除掉以部分露出所述N型半导体材料层，剩余的P型欧姆接触层呈凹凸结构并具有多个凹区域和多个凸区域，P型欧姆接触层的多个凹区域以及露出的N型半导体材料层上设置有DBR层，位于P型欧姆接触层的多个凹区域上的DBR层上以及P型欧姆接触层的多个凸区域上设置有ITO层。其可以提高紫外发光二极管的发光亮度，并降低生产成本，且使用寿命更长。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装紫外发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021040842.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-09
授权号 ：
CN213184332U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
张向鹏崔志勇李勇强薛建凯王雪郭凯张晓娜
申请人 ：
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请人地址 ：
山西省长治市高新区漳泽新型工业园区
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张永辉
优先权 ：
CN202021040842.7
主分类号 ：
H01L33/46
IPC分类号 ：
H01L33/46 H01L33/32 H01L33/44 H01L33/36
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
