LED芯片结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底、外延层、PN电极层和感光显影层，外延层形成于所述衬底的表面上；PN电极层形成于所述外延层的表面上，且位于所述外延层表面的两端；感光显影层覆盖所述衬底和所述外延层的剩余表面且所述感光显影层的表面高于所述外延层的表面。
基本信息
专利标题 ：
LED芯片结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497315A
申请号 ：
CN202210139488.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王国宏李璟李志聪
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
樊晓
优先权 ：
CN202210139488.0
主分类号 ：
H01L33/46
IPC分类号 ：
H01L33/46 H01L33/36 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/46
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
