SOC芯片制备方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种SOC芯片制备方法，在芯片制备过程中，衬底的位于电路一面上设置一正面电极，该正面电极的形状根据衬底上要生成的多孔硅结构不同而不同，其中，电极材料可使用高掺杂多晶硅或P+注入层。针对SOC串扰隔离，多晶硅电极或P+注入层设计为条状；针对射频集成电感，正面电极呈低阻导电带相间隔状。本发明可以实现多孔硅背向选择性的可控生长，而不必变更常规的CMOS工艺步骤，易于实现。

基本信息

专利标题：

SOC芯片制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1815713A

申请号：

CN200510130744.6

公开（公告）日：

2006-08-09

申请日：

2005-12-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杨利廖怀林黄如张兴

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

贾晓玲

优先权：

CN200510130744.6

主分类号：

H01L21/82

IPC分类号：

H01L21/82 H01L21/28

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

法律状态

2019-12-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/82
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20071128
终止日期 : 20181227

2013-06-19 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101613023037
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2005101307446
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京大学
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100871 北京市海淀区颐和园路5号
变更后权利人 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 北京大学
登记生效日 : 20130523

2007-11-28 ：

授权

2006-10-04 ：

实质审查的生效

2006-08-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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