铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片

授权

摘要

本申请公开了一种铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片。所述方法包括：在衬底上涂敷第一光刻胶层，进行第一烘烤；在第一光刻胶层上涂敷第二光刻胶层，进行第二烘烤；对第二光刻胶层进行欠曝光，进行第三烘烤；对经欠曝光和第三烘烤后的第二光刻胶层进行显影和定影，以在第二光刻胶层上形成底切结构，该衬底带有光刻胶结构；对带有光刻胶结构的衬底进行泛曝光，进行第四烘烤；在经泛曝光和第四烘烤之后，刻蚀第一光刻胶层形成图形限制层；在图形限制层的定义图形位置处沉积铟材料形成铟柱焊点；将第一光刻胶层和第二光刻胶层从衬底上剥离，得到带有铟柱焊点的衬底。本申请能够避免铟柱底部产生侧向扩散的问题，保护衬底其他位置不受影响。

基本信息

专利标题：

铟柱焊点的制备方法、芯片衬底及芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112652540A

申请号：

CN202010624967.2

公开（公告）日：

2021-04-13

申请日：

2020-07-01

授权号：

CN112652540B

授权日：

2022-04-22

发明人：

张文龙杨楚宏郑亚锐张胜誉

申请人：

腾讯科技（深圳）有限公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区高新区科技中一路腾讯大厦35层

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司

代理人：

张所明

优先权：

CN202010624967.2

主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L21/48