一种GaN衬底及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种GaN衬底的制备方法，包括：提供一形成有隔离层的衬底；刻蚀隔离层以形成沟槽；在沟槽中形成缓冲层，所述缓冲层的至少部分上表面低于所述隔离层的上表面；以及在所述缓冲层的至少部分上表面上形成GaN层。本发明还提供一种GaN衬底。本申请通过减小GaN层在硅衬底上的形成面积以及在缓冲层上形成GaN层的双重作用，使得GaN层与硅衬底晶格匹配，从而获得晶体质量高的GaN层。进一步的，在硅片上局部形成GaN层，使得整体硅衬底机械特性满足传统的硅基生产线设备需求，不需要另外建设新产线，降低了生产投入的成本，提高了生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN衬底及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597118A
申请号 ：
CN202210160186.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王雷
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202210160186.1
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L29/20 C30B25/18 C30B29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
