一种低损耗衬底及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低损耗衬底及制备方法，其中，一种低损耗衬底包括衬底层和位于衬底层上的第一缺陷层；第一缺陷层远离衬底层的一侧设有第二缺陷层，第二缺陷层的表面具有凸起结构，凸起结构的高度为预设高度；在第一缺陷层和/或第二缺陷层是由双面沉积生成的情况下，经过不完全热氧化，在衬底层远离第一缺陷层的一侧得到应力调整层，在第二缺陷层远离第一缺陷层的一侧得到第一氧化层，第一氧化层的密度为预设密度；第一氧化层远离第二缺陷层的一侧设有压电单晶层。本低损耗衬底通过调整应力调整层的厚度，改善了晶圆整体形貌。此外，第二缺陷层晶粒尺寸较大，由第二缺陷层制得的氧化层结构更加致密，这有利于压电单晶层与氧化层键合。
基本信息
专利标题 ：
一种低损耗衬底及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114499441A
申请号 ：
CN202111624327.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
欧欣柯新建黄凯
申请人 ：
上海新硅聚合半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
苗芬芬
优先权 ：
CN202111624327.2
主分类号 ：
H03H9/02
IPC分类号 ：
H03H9/02 C23C14/48 C23C16/44 C23C28/04
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/02
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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