衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件

授权

摘要

本申请提供了一种衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件，通过采用第一反应物、第二反应物和第三反应物进行反应生成第一中间产物，对所述第一中间产物进行第一热处理和第二热处理反应生成衬底材料，通过第一反应物、第二反应物和第三反应物引入三胺类化合物为中间体，使得聚合物的分子链规整性降低，减小了分子间的作用力，同时破环聚合物的紧密堆积，降低聚合物的结晶性能，提高了衬底材料的光透过率，进而实现一种高透过率的衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件。

基本信息

专利标题：

衬底材料、衬底材料的制备方法及发光二极管器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111087577A

申请号：

CN201911257479.6

公开（公告）日：

2020-05-01

申请日：

2019-12-10

授权号：

CN111087577B

授权日：

2022-05-31

发明人：

汪亚民

申请人：

武汉华星光电半导体显示技术有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司

代理人：

远明

优先权：

CN201911257479.6

主分类号：

C08G61/12

IPC分类号：

C08G61/12 H01L51/54