在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法，它首先在硅衬底表面形成一层银过渡层，然后在银过渡层上形成半导体薄膜。所述的半导体薄膜的成分为铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)或锌镁镉氧(ZnxMgyCd1－x－yO，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)。本发明具有可以保护衬底表面不与生长气氛接触、从而防止在铟镓铝氮材料或锌镁镉氧材料生长前形成无定型氮化硅层、提高薄膜质量的优点。
基本信息
专利标题 ：
在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801500A
申请号 ：
CN200510110566.0
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江风益邵碧琳王立方文卿
申请人 ：
南昌大学
申请人地址 ：
330047江西省南昌市南京东路235号南昌大学材料科研所
代理机构 ：
江西省专利事务所
代理人 ：
张文
优先权 ：
CN200510110566.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2019-11-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20181117
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20181117
2016-09-28 ：
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
专利权质押合同登记的注销号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101739533929
IPC(主分类) : H01L 33/00
授权公告日 : 20080514
申请日 : 20051117
专利号 : ZL2005101105660
登记号 : 2015990000219
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国进出口银行
解除日 : 20160829
号牌文件序号 : 101739533929
IPC(主分类) : H01L 33/00
授权公告日 : 20080514
申请日 : 20051117
专利号 : ZL2005101105660
登记号 : 2015990000219
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国进出口银行
解除日 : 20160829
2015-05-13 ：
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
专利权质押合同登记的生效IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101105660
登记号 : 2015990000219
登记生效日 : 20150320
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国进出口银行
发明名称 : 在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20080514
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101713970309
专利号 : ZL2005101105660
登记号 : 2015990000219
登记生效日 : 20150320
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国进出口银行
发明名称 : 在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20080514
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101713970309
2013-12-04 ：
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
专利权质押合同登记的注销号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101670450887
IPC(主分类) : H01L 33/00
授权公告日 : 20080514
申请日 : 20051117
专利号 : ZL2005101105660
登记号 : 2011990000081
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行
解除日 : 20131010
号牌文件序号 : 101670450887
IPC(主分类) : H01L 33/00
授权公告日 : 20080514
申请日 : 20051117
专利号 : ZL2005101105660
登记号 : 2011990000081
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行
解除日 : 20131010
2011-05-11 ：
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
专利权质押合同登记的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101083934183
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101105660
登记号 : 2011990000081
登记生效日 : 20110316
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行
发明名称 : 在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20080514
号牌文件序号 : 101083934183
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005101105660
登记号 : 2011990000081
登记生效日 : 20110316
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行
发明名称 : 在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20080514
2011-05-11 ：
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
专利权质押合同登记的注销号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101083935412
IPC(主分类) : H01L 33/00
授权公告日 : 20080514
申请日 : 20051117
专利号 : ZL2005101105660
登记号 : 2009360000667
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行
解除日 : 20110316
号牌文件序号 : 101083935412
IPC(主分类) : H01L 33/00
授权公告日 : 20080514
申请日 : 20051117
专利号 : ZL2005101105660
登记号 : 2009360000667
出质人 : 晶能光电(江西)有限公司
质权人 : 中国农业银行股份有限公司南昌高新支行
解除日 : 20110316
2010-03-31 ：
专利权的质押、保全及解除(专利权质押(保全)的解除)
质押(保全) : 质押登记
解除日 : 20091217
解除日 : 20091217
2010-03-31 ：
专利权的质押、保全及解除(专利权的质押(保全))
质押(保全) : 质押
登记生效日 : 20091217
登记生效日 : 20091217
2008-08-06 ：
专利权的质押、保全及解除(专利权的质押(保全))
质押(保全) : 质押
登记生效日 : 20080625
登记生效日 : 20080625
2008-05-14 ：
授权
2006-10-04 ：
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 南昌大学
变更后权利人 : 晶能光电（江西）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 江西省南昌市南京东路235号南昌大学材料科研所
变更后权利人 : 江西省南昌市南京东路235号
登记生效日 : 20060818
变更前权利人 : 南昌大学
变更后权利人 : 晶能光电（江西）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 江西省南昌市南京东路235号南昌大学材料科研所
变更后权利人 : 江西省南昌市南京东路235号
登记生效日 : 20060818
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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