含锡半导体发光材料及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种含锡半导体发光材料及其制备方法。所述含锡半导体发光材料的化学式为CsSn1‑xMnxCl3或CsSn1‑yIn2y/3Cl3。制备方法为：将含有Cs、Sn、Mn和Cl元素的反应物按比例混合，在氮气保护下加热反应得到CsSn1‑xMnxCl3；或将含有Cs、Sn、In和Cl元素的反应物按比例混合，在氮气保护下加热反应得到CsSn1‑yIn2y/3Cl3。CsSn1‑xMnxCl3发光位于红光波长范围，CsSn1‑yIn2y/3Cl3发光位于蓝绿光波长范围，两种材料在室温下均以立方钙钛矿结构稳定存在，具有低毒、易制备等优点。
基本信息
专利标题 ：
含锡半导体发光材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110144216A
申请号 ：
CN201910484099.X
公开（公告）日 ：
2019-08-20
申请日 ：
2019-06-05
授权号 ：
CN110144216B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
米启兮张琪琪吴子颜
申请人 ：
上海科技大学
申请人地址 ：
上海市浦东新区华夏中路393号
代理机构 ：
上海申汇专利代理有限公司
代理人 ：
翁若莹
优先权 ：
CN201910484099.X
主分类号 ：
C09K11/66
IPC分类号 ：
C09K11/66
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K11/00
发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料
C09K11/08
含无机发光材料
C09K11/66
含锗、锡或铅
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-09-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09K 11/66
申请日 : 20190605
申请日 : 20190605
2019-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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