半导体退锡装置
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体退锡装置，包括：上料机构、设在上料机构下游用于对上料机构提供的待退锡料片进行清洗的第一清洗槽、设在第一清洗槽下游用于对清洗后的待退锡料片进行除锈和去氧化处理的蚀刻槽、设在蚀刻槽下游用于对蚀刻后的待退锡料片进行清洗的第二清洗槽、设在第二清洗槽下游用于对清洗后的待退锡料片进行退锡处理的退锡槽、设在退锡槽下游用于对退锡后的料片进行清洗的第三清洗槽、设在第三清洗槽下游用于对清洗后的料片进行烘干的烘干槽、设在烘干槽下游用于承接所述烘干槽输出的料片的下料机构。本实用新型的半导体退锡装置可实现半导体封装产品的自动化退锡操作，退锡良率和效率较高。
基本信息
专利标题 ：
半导体退锡装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021787629.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-25
授权号 ：
CN213061027U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
王健王超欧亚会张鹏飞蒋晓达
申请人 ：
嘉盛半导体(苏州)有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区西沈浒路88号
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈伟
优先权 ：
CN202021787629.2
主分类号 ：
C23F1/08
IPC分类号 ：
C23F1/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/08
装置，如照相印刷制版装置
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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