半导体装置及半导体结构

授权

摘要

本发明实施例提供一种半导体装置及半导体结构，上述半导体装置包括基板、第一III‑V族化合物层、第二III‑V族化合物层、源极、漏极和栅极堆叠结构；第一III‑V族化合物层设置于上述基板上；第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上；源极和漏极设置于第二III‑V族化合物层的相对侧边界上；栅极堆叠结构设置于第二III‑V族化合物层上，栅极堆叠结构包括第一栅极和第二栅极，第一栅极设置于第二III‑V族化合物层上；第二栅极设置于第一栅极上且与第一栅极电性绝缘，第二栅极电性耦接至源极。上述半导体装置可降低半导体装置的漏电。

基本信息

专利标题：

半导体装置及半导体结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110010680A

申请号：

CN201811486774.4

公开（公告）日：

2019-07-12

申请日：

2018-12-06

授权号：

CN110010680B

授权日：

2022-06-10

发明人：

韦维克陈柏安

申请人：

新唐科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

王涛

优先权：

CN201811486774.4

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/423

法律状态

2022-06-10 ：

授权

2019-08-06 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20181206

2019-07-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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