半导体结构
授权
摘要
本发明涉及一种半导体结构,设于裸片的衬底表面,裸片包括芯片内部电路,半导体结构包括:第一保护环,围绕芯片内部电路环形设置,用于抑制裸片的机械损伤;第二保护环,围绕芯片内部电路环形设置,用于抑制机械损伤,且用于监测机械损伤的大小;第二保护环包括多个第一结构和多个第二结构,第一结构和第二结构具有不同的机械强度和不同的电阻率。第一保护环和第二保护环为芯片内部电路提供了双重保护,解决了单一保护环对形变抵抗力不足的问题,有效抑制了裸片的机械损伤,从而提高了保护环和芯片内部电路的可靠性,而且通过监测机械损伤的大小,实时获取裸片的机械损伤情况,从而及时调整裸片的切割和保护策略,以提高芯片的加工良率。
基本信息
专利标题 :
半导体结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113451272A
申请号 :
CN202010216439.3
公开(公告)日 :
2021-09-28
申请日 :
2020-03-25
授权号 :
CN113451272B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
刘志拯
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 :
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
熊文杰
优先权 :
CN202010216439.3
主分类号 :
H01L23/544
IPC分类号 :
H01L23/544 H01L21/66 H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志,例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-04-29 :
授权
2021-10-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20200325
申请日 : 20200325
2021-09-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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