半导体结构
授权
摘要
本发明公开了一种半导体结构，包含硅控整流器(silicon control rectifier,SCR)区域及NPN区域。硅控整流器区域包含第一p井区、第一n井区及第一p+区。第一n井区被第一p井区环绕。第一p+区配置于第一p井区中，并与第一n井区间隔开。NPN区域包含第二p井区、第一n+区、第二n+区及第二p+区。第一n+区与第二p井区及静电放电源耦合。第二n+区与第二p井区耦合，并与第一n+区间隔开。第二p+区配置于第二p井区中，并与第一p井区中的第一p+区等电位连接。本发明提供的半导体结构具有较低的开启电压(约5V至约15V)。因此，此半导体结构可以用于含有低电压元件的电路。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111261627A
申请号 ：
CN201910106435.7
公开（公告）日 ：
2020-06-09
申请日 ：
2019-02-02
授权号 ：
CN111261627B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
刘芳妏吕增富
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
代理机构 ：
北京中誉威圣知识产权代理有限公司
代理人 ：
席勇
优先权 ：
CN201910106435.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20190202
申请日 : 20190202
2020-06-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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