半导体结构
专利权的终止
摘要
一种半导体结构，此半导体结构包括基底、源/漏极延伸区、源/漏极区、金属硅化物层以及应力层。基底上已配置有栅极结构，其中栅极结构的侧壁上配置有间隙壁，且间隙壁旁的基底中具有开口。源/漏极延伸区配置于栅极结构二侧的基底中。源/漏极区配置于开口底部的基底中或基底上。金属硅化物层配置于源/漏极区与栅极结构上。应力层配置于基底表面上。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620112555.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-04-20
授权号 ：
CN2899115Y
授权日 ：
2007-05-09
发明人 ：
丁世汎黄正同洪文翰郑礼贤郑子铭
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200620112555.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/088
法律状态
2016-05-25 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101662506122
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006201125556
申请日 : 20060420
授权公告日 : 20070509
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101662506122
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2006201125556
申请日 : 20060420
授权公告日 : 20070509
终止日期 : 无
2007-05-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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