半导体结构
授权
摘要
一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中具有源区和漏区，所述源区和漏区中具有凹槽；金属硅化物层，位于所述凹槽的四周侧壁表面；绝缘层，位于凹槽的底部表面，且所述绝缘层的边缘与凹槽四周侧壁上的所述金属硅化物层底部表面接触；导电层，填充在所述凹槽中并位于所述金属硅化物层及所述绝缘层上。本实用新型的半导体结构防止电流泄漏到源漏区底部的半导体衬底中。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920691975.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-15
授权号 ：
CN210092094U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201920691975.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/417 H01L29/45 H01L21/336
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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