半导体结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种半导体结构，包括：基板；钝化层，在该基板上；后钝化互连结构，在该钝化层上；以及聚合物层，覆盖该后钝化互连结构和该钝化层，其中该后钝化互连结构包括设置在该钝化层上并围绕该后钝化互连结构的下边缘的阶梯结构。通过设计阶梯结构，使位于后钝化互连结构角落处之上的后钝化互连结构的厚度减小，从而大大减小了后钝化互连结构的下边缘的角落处所受的应力，这样就可以避免位于后钝化互连结构的下边缘的角落处的钝化层区域的破裂，保证半导体结构的结构稳定性以及正常工作运行。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551398A
申请号 ：
CN202111393686.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄溥膳
申请人 ：
联发科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区新竹市笃行一路1号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何倚雯
优先权 ：
CN202111393686.1
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/532 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20211123
申请日 : 20211123
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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