半导体结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种半导体结构包括Si衬底、绝缘层、Cu柱及钝化层，由于Si衬底与绝缘层具有第一高度差D1，Cu柱与绝缘层具有第二高度差D2，且第一高度差D1大于第二高度差D2，从而可有效避免对器件的电性能造成影响，避免绝缘层内外侧Cu金属的连接，以有效避免对器件的电性能造成影响，进一步的通过钝化层可有效覆盖Si衬底，以进一步的避免后续工艺中Si衬底形成导电通道，以起到良好的绝缘效果，从而可进一步的避免对器件的电性能造成影响。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021912432.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
CN212257389U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
尹佳山周祖源薛兴涛林正忠
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202021912432.7
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2021-07-09 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/528
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
