半导体结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种半导体结构，包括支撑基底、分离层、介质层、Ti金属种子层、Cu金属种子层及金属层，且介质层中具有相连通的第一凹槽以及第二凹槽；通过第一凹槽及第二凹槽，可有效去除位于介质层中的残留Ti金属种子层，且第二凹槽的底部与残留Ti金属种子层之间具有深度差△T，从而可避免由残留Ti金属种子层所造成的短路，提高器件可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021912428.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
CN212434616U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
尹佳山周祖源吴政达林正忠
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202021912428.0
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2021-07-09 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/528
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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