半导体结构
授权
摘要
本公开提供一种半导体结构。半导体结构包括：衬底，包括相互间隔排布的有源区和浅沟槽隔离区；多个隔离结构，位于所述衬底表面；多个凹槽，位于所述多个隔离结构之间，所述凹槽的底部具有第一斜面，所述第一斜面形成于所述有源区；导电插塞，位于所述凹槽中。本公开实施例可以避免在存储接触插塞结构制造过程中在多晶硅内部形成空气隙。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922167224.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-06
授权号 ：
CN210926003U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
平尔萱周震
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201922167224.2
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/532 H01L21/768 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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