半导体结构
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构包括基板、芯片、第一边缘垫、第一中央垫、第二边缘垫以及第二中央垫。基板具有第一表面与在基板上延伸的导电迹线。芯片位于该基板的该第一表面上。芯片具有侧壁、中央区及位于中央区与侧壁之间的边缘区。第一边缘垫位于芯片的边缘区上。第一中央垫位于芯片的中央区上，且电性连接至第一边缘垫。第二边缘垫位于芯片的边缘区上。第一边缘垫与芯片的侧壁之间的距离实质上小于第二边缘垫与芯片的侧壁之间的距离。第二中央垫位于芯片的中央区上，且电性连接至第二边缘垫。借此，本揭露的半导体结构，可以降低电容，从而改善半导体结构的输出信号。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334900A
申请号 ：
CN202111133991.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨吴德
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛恒
优先权 ：
CN202111133991.7
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/528 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20210927
申请日 : 20210927
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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