半导体结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体结构。绝缘图案至少覆盖间隔节点接触结构的第一开口的侧壁，并且绝缘图案的上表面还往所述第一开口中凹陷以形成凹陷部，使得通过一层膜层即可替代现有的两个膜层构成的绝缘图案，从而省略了现有技术中研磨去除部分厚度的绝缘材料层以及重新形成掩模材料层的步骤，简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且由于形成电容结构时通常会采用到多次研磨工艺使得衬底的表面平坦化，所以即使绝缘图案的表面不平整也不会对存储器的性能产生影响。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464622A
申请号 ：
CN202210147369.X
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜逸飞冯立伟陈凯评
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑星
优先权 ：
CN202210147369.X
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20200422
申请日 : 20200422
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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