半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底表面具有介质层；多个接触孔，所述接触孔贯穿所述介质层，所述接触孔的部分侧壁覆盖有第一隔离层，节点接触层填充于所述接触孔内并延伸出所述接触孔；空气间隔层，包括相互连通的刻蚀槽和空隙，所述刻蚀槽自所述节点接触层的顶面延伸至所述接触孔内，所述空隙位于相邻所述接触孔之间，所述刻蚀槽的侧壁覆盖有第二隔离层；第三隔离层，封闭所述刻蚀槽的顶部开口。本实用新型降低了半导体结构内部的寄生电阻，提高了芯片制造的良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921865012.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
CN210607254U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
吴公一孙正庆陈龙阳
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921865012.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
