半导体结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体结构，包含衬底，复数个接触结构，位于所述衬底上，一组第一图案位于所述接触结构上方，其中所述第一图案包含有复数条第一曲线图案，以及一组第二图案与所述第一图案位于同一平面，其中所述第二图案包含有复数条第二曲线图案，其中从一上视图来看，所述复数条第一曲线图案与所述复数条第二曲线图案相互交叉。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020935676.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-28
授权号 ：
CN212587510U
授权日 ：
2021-02-23
发明人 ：
永井享浩
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202020935676.0
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2021-02-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
