半导体结构
授权
摘要
一种半导体结构，包括：存储芯片；温度检测单元，用于在存储芯片启动之前检测存储芯片的温度；控制芯片，用于在存储芯片启动之前对存储芯片进行加热，并判断所述温度检测单元检测的温度是否达到设定阈值，若达到设定阈值，则控制所述存储芯片启动。当本实用新型的半导体结构工作在低温环境时，通过控制芯片可以使得存储芯片升温到设定阈值，从而可以防止存储芯片中的位线、字线、以及金属连线(金属接触部)由于环境温度过低带来的电阻的增大，从而减小了低温环境下的对存储器进行数据写入时的写入时间，提高了存储器写入的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020400433.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN211507637U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
寗树梁
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202020400433.7
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L25/18 G11C11/401
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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