半导体结构
授权
摘要
本申请提供了一种半导体结构，该半导体结构包括基底结构、栅氧化层、第一氧化层和导电插塞，其中，基底结构包括衬底、源区和漏区，其中，源区和漏区间隔地设置在衬底中，衬底具有沟槽，沟槽位于相邻的源区和漏区之间；栅氧化层，位于衬底的表面上以及沟槽的内壁上；第一氧化层，位于栅氧化层的远离沟槽的内壁的表面上，第一氧化层包括至少一个子氧化层；导电插塞，位于沟槽的剩余部分中。该半导体结构使得栅极具有至少一层子氧化层，保证了半导体结构的栅极的工作电压较低，从而使得栅感应漏极漏电流较小，有效地缓解了漏极漏电流现象，保证了半导体结构的可靠性较好。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022483541.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN213635990U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
邢庸宇
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202022483541.8
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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