半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口；节点接触层，位于所述接触窗口内，所述节点接触层的顶部具有凹陷；接触插塞，与所述节点接触层连接。本实用新型减小了节点接触层与接触插塞之间的接触电阻，改善了半导体结构的性能以及产品良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921124983.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-17
授权号 ：
CN209993595U
授权日 ：
2020-01-24
发明人 ：
吴公一陈龙阳
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921124983.4
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L21/768 H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2020-01-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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