半导体结构
授权
摘要
一种半导体结构，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域上形成有第一器件结构，所述第二区域上形成有第二器件结构，所述第一器件结构高度大于所述第二器件结构的高度，所述第一器件结构具有至少部分凹陷的侧壁，所述凹陷位于所述第一区域和第二区域的交界处；第一介质层，位于第二区域上，所述第一介质层填充满所述凹陷，所述第一介质层具有流动性。上述半导体结构的性能得到提高。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922152641.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN211088261U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
于新新
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201922152641.X
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L27/108 H01L21/768 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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