半导体结构
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种半导体结构，包括：衬底、焊盘结构和电容结构；其中，衬底上方设有从上到下排布的多层金属层，焊盘结构位于顶层的金属层上，电容结构位于顶层的金属层以下的金属层内，且电容结构位于焊盘结构的下方。本申请通过将电容结构置于焊盘结构下方的金属层内，可以充分利用焊盘结构的版图面积，并且也不会占用衬底上的晶体管区域，有利于半导体结构的小型化，且电容结构距离焊盘结构较近，稳压性能更好。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446947A
申请号 ：
CN202210042187.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
窦心愿李新
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭李君
优先权 ：
CN202210042187.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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