半导体结构
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种半导体结构，包括第一导电型衬底、第一导电型井区、集成电路区、隔离结构及第二导电型掺杂区。第一导电型井区设置于第一导电型衬底中。集成电路区设置于第一导电型井区上。隔离结构设置于第一导电型衬底中并环绕集成电路区。第二导电型掺杂区设置于第一导电型衬底中并环绕隔离结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1971911A
申请号 ：
CN200510126898.8
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许村来陈佑嘉
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510126898.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/58
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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