半导体结构
授权
摘要
本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；深阱保护柱，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方，且所述深阱保护柱和所述衬底之间的第一外延层的厚度为6μm～12μm；阱接触层，与所述深阱保护柱的掺杂类型相同，并自所述深阱保护柱的表面向所述深阱保护柱中延伸且侧壁和底部被所述深阱保护柱围绕；金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。本申请的半导体结构能够降低器件的表面电场、增大正向电流，并提高器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123367933.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216450646U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
李浩南张永杰周永昌黄晓辉董琪琪
申请人 ：
飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
北京市一法律师事务所
代理人 ：
樊文娜
优先权 ：
CN202123367933.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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