半导体结构
授权
摘要
本实用新型实施例涉及一种半导体结构，包括：半导体单元，所述半导体单元包括至少一片晶圆或者芯片；位于所述半导体单元内且沿第一方向排列的第一TSV结构以及第二TSV结构，所述第一TSV结构与所述第二TSV结构均沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向不同，且在沿所述第二方向上，所述第一TSV结构的长度与所述第二TSV结构的长度不同。本实用新型提供一种结构性能优越的半导体结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920441781.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-02
授权号 ：
CN209896057U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
吴秉桓刘杰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN201920441781.6
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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