半导体结构
授权
摘要
本申请技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括外延层；第一掺杂区，分立的位于所述外延层中；第一JFET区，位于所述第一掺杂区的部分表面；第二JFET区，位于相邻所述第一掺杂区之间的部分外延层表面；阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；第二掺杂区，位于相邻所述源区之间的第一掺杂区表面，且所述第二掺杂区与所述源区的表面共面；栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述第一掺杂区邻接。本申请技术方案可以降低栅极结构底部的电场，减少栅漏电荷。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122354873.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
CN216213468U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
张永杰李浩南周永昌黄晓辉董琪琪
申请人 ：
飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
北京市一法律师事务所
代理人 ：
樊文娜
优先权 ：
CN202122354873.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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