半导体结构
授权
摘要
本文中描述的半导体结构提供了单事件闩锁(SEL)减轻技术。在一个示例中，一种半导体结构包括：半导体基板；p型晶体管，具有设置在半导体基板中的n掺杂区域中的p+源极/漏极区域；n型晶体管，具有设置在半导体基板中的p掺杂区域中的n+源极/漏极区域；n+保护环，设置在n掺杂区域中并且侧向围绕p型晶体管的p+源极/漏极区域；以及p+保护环，设置成侧向围绕n掺杂区域。p+保护环设置在p型晶体管与n型晶体管之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921324978.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-15
授权号 ：
CN210245505U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
J·卡普M·J·哈特
申请人 ：
赛灵思公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201921324978.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/02 H01L27/088
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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