半导体结构
公开
摘要
本发明公开了一种半导体结构。例示性半导体结构包括：形成在层间介电层(inter‑layer dielectric,ILD)中的源极/漏极(source/drain,S/D)部件、电性连接至源极/漏极部件的源极/漏极接触导孔、形成于源极/漏极接触导孔上方的金属部件以及形成在金属部件上并电性连接至源极/漏极接触导孔的金属线。金属线是由与源极/漏极接触导孔的材料不同的材料所形成，且源极/漏极接触导孔与金属线间隔开。通过提供金属部件，可有利地减少或实质上消除金属线及接触导孔之间的电迁移。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334959A
申请号 ：
CN202110856070.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-07-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄麟淯游力蓁张家豪庄正吉程冠伦王志豪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂慧荃
优先权 ：
CN202110856070.7
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L27/092 H01L21/8234 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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