半导体结构
专利权的终止
摘要
本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括一基底、一第一金属氧化物半导体、一第二金属氧化物半导体、一第一半导体区以及一第二半导体区。第一金属氧化物半导体以及第二金属氧化物半导体分别形成于该基底上。第一半导体区形成于该基底以及该第一金属氧化物半导体之间。第二半导体区形成于该基底以及该第二金属氧化物半导体之间。其中该第一半导体区以及该第二半导体区用以隔离该第一金属氧化物半导体以及该第二金属氧化物半导体。本实用新型所述的半导体结构可以防止产生闭锁。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820001825.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-01-09
授权号 ：
CN201142330Y
授权日 ：
2008-10-29
发明人 ：
黄明源纪丽红
申请人 ：
普诚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200820001825.5
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2018-02-02 ：
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20080109
授权公告日 : 20081029
申请日 : 20080109
授权公告日 : 20081029
2011-03-23 ：
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101077682577
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利申请号 : 2008200018255
专利号 : ZL2008200018255
合同备案号 : 2010990000881
让与人 : 普诚科技股份有限公司
受让人 : 普诚科技(深圳)有限公司
实用新型名称 : 半导体结构
申请日 : 20080109
授权公告日 : 20081029
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20101108
号牌文件序号 : 101077682577
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利申请号 : 2008200018255
专利号 : ZL2008200018255
合同备案号 : 2010990000881
让与人 : 普诚科技股份有限公司
受让人 : 普诚科技(深圳)有限公司
实用新型名称 : 半导体结构
申请日 : 20080109
授权公告日 : 20081029
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20101108
2011-02-23 ：
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101070186667
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利申请号 : 2008200018255
专利号 : ZL2008200018255
合同备案号 : 2010990000881
让与人 : 普诚科技(深圳)有限公司
受让人 : 普诚科技股份有限公司
实用新型名称 : 半导体结构
申请日 : 20080109
授权公告日 : 20081029
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20101108
号牌文件序号 : 101070186667
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利申请号 : 2008200018255
专利号 : ZL2008200018255
合同备案号 : 2010990000881
让与人 : 普诚科技(深圳)有限公司
受让人 : 普诚科技股份有限公司
实用新型名称 : 半导体结构
申请日 : 20080109
授权公告日 : 20081029
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20101108
2008-10-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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