半导体装置结构
公开
摘要
本发明实施例提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括：第一通道层，其具有第一表面与第二表面，以及第二通道层，其具有相对的第一表面与第二表面，且第一通道层与第二通道层的组成为第一材料。结构亦包括第一掺质抑制层，接触第一通道层的第二表面，以及第二掺质抑制层平行于第一掺质抑制层。第二掺质抑制层接触第二通道层的第一表面，且第一掺质抑制层与第二掺质抑制层各自包含碳或氟。结构还包括栅极介电层，接触第一掺质抑制层、第二掺质抑制层与第一通道层的第一表面，以及栅极层，位于栅极介电层上。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334960A
申请号 ：
CN202110856150.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-07-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王志庆谢文兴何炯煦陈文园苏佳莹吴忠纬吴志强
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂慧荃
优先权 ：
CN202110856150.2
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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