半导体装置结构
公开
摘要
本发明实施例提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包括基板；源极/漏极接点，位于基板上；第一介电层，位于源极/漏极接点上；蚀刻停止层，位于第一介电层上；以及源极/漏极导电层，位于蚀刻停止层与第一介电层中。结构还包括间隔物结构，位于蚀刻停止层与第一介电层中。间隔物结构围绕源极/漏极导电层的侧壁，并包括第一间隔物层，包括第一部分；以及第二间隔物层，与第一间隔物层的第一部分相邻。第一间隔物层的第一部分与第二间隔物层隔有气隙。结构还包括密封层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334961A
申请号 ：
CN202110856333.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-07-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄麟淯游力蓁庄正吉程冠伦王志豪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂慧荃
优先权 ：
CN202110856333.4
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
