半导体结构
公开
摘要
本公开提出半导体结构及其制造方法。一示例性的半导体结构包括第一基座部分和第二基座部分，设置在前述第一基座部分和前述第二基座部分之间的一隔离部件，位于前述的隔离部件上方的一中心介电鳍片，位于前述的第一基座部分上方的一第一抗穿通部件，位于前述的第二基座部分上方的一第二抗穿通部件，位于前述第一抗穿通部件上方的第一通道构件堆叠，以及位于前述第一基座部分上方的第二通道构件堆叠。前述的中心介电鳍片设置在前述第一通道构件堆叠和前述第二通道构件堆叠之间，并且设置在前述第一抗穿通部件和前述第二抗穿通部件之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512482A
申请号 ：
CN202210001586.8
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑嵘健江国诚朱熙甯陈冠霖王志豪程冠伦
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202210001586.8
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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