半导体结构、半导体装置及相关方法

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摘要

一种半导体结构包含：电容器结构，其包括包含平行于第一水平方向的相对场边缘的作用区域；及栅极区域，其包括平行于横向于所述第一水平方向的第二水平方向的相对栅极边缘。所述半导体结构还包括：第一电介质材料，其邻近所述相对场边缘或所述相对栅极边缘中的至少一者；及第二电介质材料，其邻近所述作用区域且邻接所述第一电介质材料的部分。所述第二电介质材料在垂直方向上的高度可小于所述第一电介质材料的高度。还揭示半导体装置及相关方法。

基本信息

专利标题：

半导体结构、半导体装置及相关方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113228276A

申请号：

CN201980082361.6

公开（公告）日：

2021-08-06

申请日：

2019-10-30

授权号：

CN113228276B

授权日：

2022-06-14

发明人：

M·A·史密斯

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王龙

优先权：

CN201980082361.6

主分类号：

H01L27/11524

IPC分类号：

H01L27/11524 H01L27/11529 H01L29/788 H01L27/07 H01L27/02