抗脱层半导体装置以及相关联的方法
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摘要
一种抗脱层半导体装置包含导电层、半导体层和间隔件。所述导电层具有与第二侧相对的第一侧。所述半导体层处于所述第一侧上并且限定由所述导电层跨越的穿过所述半导体层的孔眼。所述间隔件处于所述第二侧上并且具有接近所述导电层的顶表面，所述顶表面限定由所述导电层跨越的盲孔。一种用于防止多层结构脱层的方法包含将第一层安置在衬底上使得所述第一层跨越所述衬底的孔眼的步骤。所述方法还包含将第二层安置在所述第一层上的步骤。所述第二层具有邻近所述第一层的盲孔，从而使得所述第一层跨越所述盲孔。
基本信息
专利标题 ：
抗脱层半导体装置以及相关联的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109216387A
申请号 ：
CN201810695778.7
公开（公告）日 ：
2019-01-15
申请日 ：
2018-06-29
授权号 ：
CN109216387B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
郭盈志钟莹
申请人 ：
豪威科技股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋融冰
优先权 ：
CN201810695778.7
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2019-04-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20180629
申请日 : 20180629
2019-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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