抗蚀剂图形形成方法和半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
抗蚀剂图形形成方法,包括以下的工序:在衬底上形成抗蚀剂膜;通过以在后述的显影中足够使上述抗蚀剂膜溶解的曝光量向上述衬底的外缘部分的规定区域的上述抗蚀剂膜照射光,在外缘部分的抗蚀剂膜上形成潜像;清洗外缘部分被照射了光的抗蚀剂膜;对清洗后的抗蚀剂膜的所希望的曝光区域,在曝光区域与曝光装置的投影光学系统的最为靠近上述衬底侧的构成要素的上述衬底侧的面之间存在着折射率比空气更大的液体的状态下通过投影光学系统照射所希望的图形的光;对刻胶膜的曝光区域进行显影。
基本信息
专利标题 :
抗蚀剂图形形成方法和半导体器件的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1825209A
申请号 :
CN200610058208.4
公开(公告)日 :
2006-08-30
申请日 :
2006-02-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
河村大辅柴田刚伊藤信一
申请人 :
株式会社东芝
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京市中咨律师事务所
代理人 :
李峥
优先权 :
CN200610058208.4
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 G03F7/30 G03F7/38 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2013-04-10 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2006100582084
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20090401
终止日期 : 20120224
号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101433924964
专利号 : ZL2006100582084
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20090401
终止日期 : 20120224
号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101433924964
2009-04-01 :
授权
2006-10-25 :
实质审查的生效
2006-08-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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