抗蚀图增厚材料和形成工艺、半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种能使用ArF受激准分子激光的抗蚀图增厚材料；当将其涂覆在具有线图形或其它图形的抗蚀图诸如ArF抗蚀图上时，能够增厚抗蚀图而不管抗蚀图尺寸大小如何；其具有优秀的抗蚀性，并且适用于形成超出曝光极限的精细的空间图形或其它图形。本发明还提供一种适当利用本发明的抗蚀图增厚材料的抗蚀图形成工艺和制造半导体器件的方法。

基本信息

专利标题：

抗蚀图增厚材料和形成工艺、半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1975571A

申请号：

CN200610067649.0

公开（公告）日：

2007-06-06

申请日：

2006-03-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

小泽美和野崎耕司

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

王玉双

优先权：

CN200610067649.0

主分类号：

G03F7/004

IPC分类号：

G03F7/004 G03F7/26 H01L21/027

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/004

感光材料

法律状态

2019-03-08 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/004
申请日 : 20060322
授权公告日 : 20110406
终止日期 : 20180322

2011-04-06 ：

授权

2007-08-01 ：

实质审查的生效

2007-06-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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